特許
J-GLOBAL ID：200903089069474582
荷電粒子ビーム描画方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井島 藤治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-197800
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243128
出願日： 1991年08月07日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：
【要約】【目的】 マイナスリサイズ処理を行っても、データエラーを生じること無く正確な形状のパターンの描画を行うことができる荷電粒子ビーム描画方法を実現する。【構成】 CPUユニット8からの描画データはまずパターンサイズチェックユニット9に供給されるが、このユニット9には、CPUユニット8からビーム径dのデータも供給されている。このパターンサイズチェックユニット9においては、供給されたデータに基づいて、パターンの各辺の長さとビーム径dを比較し、辺の長さがビーム径dより狭い場合には、その辺の部分の中点に対して±d/2の加算処理を行う。この加算処理が行われた後、描画データはスキャナユニット10に供給される。スキャナユニット10においては、供給されたパターンデータに対してd/2のマイナスリサイズ処理を行う。
請求項（抜粋）：
パターンデータを描画のために用いる荷電粒子ビームのビーム径(d)の1/2分マイナスリサイズし、このマイナスリサイズしたデータに基づいて所望パターンの描画を行うようにした荷電粒子ビーム描画方法において、該マイナスリサイズに先立って、描画すべきパターンの幅をチェックし、該パターン幅が描画ビームの径より狭い場合には、パターンの中点に対して±d/2の加算処理を行い、その後マイナスリサイズを行うようにした荷電粒子ビーム描画方法。
FI (2件)：
H01L 21/30 341 J
, H01L 21/30 321
