窒化ガリウム系化合物半導体等のドライエッチング方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小林良平 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-013336
公開番号（公開出願番号）：特開2003-303809
出願日： 2003年01月22日
公開日（公表日）： 2003年10月24日
要約：

【要約】【課題】10-3Paオーダーという比較的低い真空度(高い圧力)でも平滑なエッチング面が得られるような窒化ガリウム系化合物半導体のドライエッチング方法であって、更にサファイア基板やアルミナ基板といったアルミ酸化物までエッチング可能なドライエッチング方法を提供する。【解決手段】塩素ガスと、x、y及びzが正の整数である化学式CxHyClzで表される化合物(クロロホルム、ジクロルメタン等)のガスとを含む反応ガスから生成したプラズマ26により、窒化ガリウム系化合物層22〜24、サファイア基板21もしくはアルミナ基板をエッチングする。

請求項（抜粋）：

塩素ガスと、x、y及びzが正の整数である化学式CxHyClzで表される化合物のガスとを含む反応ガスから生成したプラズマによりエッチングすることを特徴とする被処理物のドライエッチング方法。

Fターム (13件)：

5F004AA05 , 5F004AA06 , 5F004BA20 , 5F004CA02 , 5F004DA00 , 5F004DA04 , 5F004DA14 , 5F004DA23 , 5F004DB00 , 5F004DB13 , 5F004DB14 , 5F004DB19 , 5F004EA06

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開平1-204425号公報
特開平3-108779号公報
特開平4-34929号公報

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審査官引用 (19件)

特開平4-067624
半導体基盤の表面処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-206673 出願人：サーフィステクノロジーシステムズリミテッド
特開昭61-255027

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