特許

J-GLOBAL ID：200903089075489850

放射線画像検出装置及びそれに用いられる残存電荷量推定方法並びにプログラム

発明者： 岩切 直人
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (2件)： 柳田 征史 ,  佐久間 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-090111
公開番号（公開出願番号）：特開2008-252424
出願日： 2007年03月30日
公開日（公表日）： 2008年10月16日
要約：

【課題】TFTスイッチを有する多数の画素が2次元状に配列された放射線画像検出器に、入射する放射線が所定の規定値(画素値が飽和値となる値)を超える大線量のものである場合、その放射線画像検出器中に存在する残存電荷量の推定性能を向上させる。【解決手段】TFTスイッチがオフの状態でデータ線に流れ出すリーク電流を検出し、各走査線毎にその走査線に接続されたTFTスイッチを順次オン状態にしてデータ線に流れ出す画像信号を読み出す。そして、画像信号が飽和値である飽和画素が存在するデータ線のうち少なくとも1つのデータ線で検出されたリーク電流とそのデータ線における飽和画素の数とから単位飽和画素当りの平均リーク電流を算出する。そして、その平均リーク電流に基づいて放射線画像検出装置中に存在する残存電荷量を推定する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

放射線の照射を受けて電荷を発生する電荷発生層と、該電荷発生層において発生した電荷を収集する収集電極、該収集電極によって収集された電荷を蓄積する蓄積容量および該蓄積容量に蓄積された電荷を読み出すためのTFTスイッチを有する多数の画素と前記TFTスイッチをオン/オフするための多数の走査線と前記蓄積容量に蓄積された電荷が読み出される多数のデータ線とを備えた検出層とが積層された放射線画像検出器中に存在する残存電荷量を推定する残存電荷量推定方法であって、 前記TFTスイッチがオフの状態で前記データ線に流れ出すリーク電流を検出し、 前記各走査線毎に該走査線に接続された前記TFTスイッチを走査線毎に順次オン状態にして前記データ線に流れ出す画像信号を読み出し、 前記画像信号が飽和値である飽和画素が存在する前記データ線のうち少なくとも1つのデータ線で検出された前記リーク電流と該データ線における前記飽和画素の数とから単位飽和画素当りの平均リーク電流を算出し、 該平均リーク電流に基づいて前記単位飽和画素中に存在する残存電荷量を推定することを特徴とする残存電荷量推定方法。

IPC (6件)：

H04N 5/32 ,  G01T 1/24 ,  H04N 5/335 ,  A61B 6/00 ,  H01L 27/14 ,  H01L 27/146

FI (7件)：

H04N5/32 ,  G01T1/24 ,  H04N5/335 E ,  A61B6/00 300S ,  H01L27/14 K ,  H01L27/14 C ,  H04N5/335 P

Fターム (40件)：

2G088EE01 ,  2G088FF02 ,  2G088GG21 ,  2G088JJ05 ,  2G088KK05 ,  2G088KK24 ,  2G088KK27 ,  2G088KK35 ,  2G088LL11 ,  2G088LL12 ,  2G088LL13 ,  2G088LL17 ,  4C093CA13 ,  4C093EB12 ,  4C093EB13 ,  4C093EB17 ,  4C093FC17 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA14 ,  4M118CA32 ,  4M118CB05 ,  4M118CB14 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  4M118GA10 ,  5C024AX11 ,  5C024AX16 ,  5C024CX03 ,  5C024CX17 ,  5C024CY17 ,  5C024GX02 ,  5C024GX16 ,  5C024GX18 ,  5C024GY31 ,  5C024HX21 ,  5C024HX35 ,  5C024HX40

引用特許：

出願人引用 (1件)

• X線撮影装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-204106   出願人：株式会社日立メディコ