特許

J-GLOBAL ID：200903089075763243

強誘電体キャパシタ構造体の乾式蝕刻方法

発明者： 鄭 智 元
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 磯野 道造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-130442
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349253
出願日： 2000年04月28日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 強誘電体キャパシタ構造体を形成する際の蝕刻残留物の再蒸着のない乾式蝕刻方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板100上に強誘電体PZT層110、貴金属電極120を積層した構造上にTiO2ハードマスク130を成膜し、レジスト140でパターニングしてハードマスク131を形成する。これをマスクとしてC12/02/Arの混合ガスを用いて順次電極121、PZT111を残して乾式蝕刻することにより基板100に対してほゞ垂直にきり立ったセルサイズを小型化した強誘電体キャパシタ構造体を形成し得る

請求項（抜粋）：

強誘電体層を介在してその両側の対向面に各々電極を具備した強誘電体キャパシタ構造体の乾式蝕刻方法において、(a)前記強誘電体キャパシタ構造体上にハードマスクを形成する段階と、(b)前記ハードマスクを用いてCl2/O2/Arの混合ガスで前記ハードマスク下部の電極及び強誘電体層を順次に蝕刻する段階とを含むことを特徴とする強誘電体キャパシタ構造体の乾式蝕刻方法。

IPC (9件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (5件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 21/302 J ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371