特許

J-GLOBAL ID：200903089075777775

半導体装置とその製造方法

発明者： 井伊 由子 ,  松浦 正純
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-241273
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069361
出願日： 1992年08月17日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：

【要約】【目的】 リンを4mol %以上ドープした層間絶縁膜の表面にリン等の析出物が発生するのを防止する。【構成】 半導体基板1上に形成された第1の導電体パターン2を覆うように層間絶縁膜として塗布膜3を形成し、この塗布膜3の表面を窒素のプラズマにさらすことにより、膜表面に10〜100オングストロームの耐吸湿性にすぐれた窒化膜4を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に配置された下層配線層と、該下層配線層上に層間絶縁膜を介して配置された上層配線層とを備えた半導体装置において、吸湿性を有する不純物が高濃度にドープされた層間絶縁膜上に、絶縁性の耐吸湿膜を設けたことを特徴とする半導体装置。