特許

J-GLOBAL ID：200903089078494111

測定装置及び測定方法

発明者： 潮 嘉次郎 ,  上田 武彦
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-047485
公開番号（公開出願番号）：特開2000-241126
出願日： 1999年02月25日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】 薄膜の膜厚測定に於いて、測定対象が半導体素子面のように、パターン構造が存在し、2次元的に一様でないとき、ブランク膜計測の場合のような一様な膜から単純に予測されるような信号は得られず、精度良く膜厚及び工程終了点を測定できなかった。【解決手段】半導体装置製造工程における、ウェハ上の絶縁膜または金属電極膜の膜厚、及び膜の成膜工程または除去工程に於ける工程終了点の片方または両方を測定する測定方法に於いて、ウェハ上の膜面の全体または一部分にプローブ光を照射する段階、膜面からの反射光または透過光の信号光強度の変化を実測する段階、プローブ光の空間コヒーレンス長と、照射された面のパターンの微細度とを比較する段階、比較した結果に基づいて光学モデルを決定する段階、光学モデルに基づいて信号光強度を理論計算する段階、実測された信号光強度と理論計算された信号光強度とを比較する段階を持つことによって膜厚または工程終了点を知ることができるようになった。

請求項（抜粋）：

半導体装置製造工程における、ウェハ上の絶縁膜または金属電極膜の膜厚、及び前記膜の成膜工程または除去工程に於ける工程終了点の、片方または両方を測定する測定方法であって、前記ウェハ上の前記膜面の全体または一部分にプローブ光を照射する段階、前記膜面からの反射光または透過光の信号光強度の変化を実測する段階、前記プローブ光の空間コヒーレンス長と、前記照射された面(測定対象面)の構造(パターン)の微細度とを比較する段階、前記比較した結果に基づいて光学モデルを決定する段階、前記光学モデルに基づいて信号光強度を理論計算する段階、前記実測された信号光強度と前記理論計算された信号光強度とを比較することによって前記膜厚及び前記工程終了点の片方または両方を検知する段階を有することを特徴とする測定方法。

IPC (6件)：

G01B 11/06 ,  B24B 37/04 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/66

FI (6件)：

G01B 11/06 G ,  B24B 37/04 K ,  H01L 21/28 C ,  H01L 21/304 622 S ,  H01L 21/66 P ,  H01L 21/306 U

Fターム (60件)：

2F065AA30 ,  2F065BB01 ,  2F065BB02 ,  2F065BB17 ,  2F065BB18 ,  2F065CC17 ,  2F065CC31 ,  2F065FF42 ,  2F065FF51 ,  2F065GG12 ,  2F065GG24 ,  2F065HH03 ,  2F065HH13 ,  2F065JJ02 ,  2F065JJ18 ,  2F065JJ25 ,  2F065LL04 ,  2F065LL12 ,  2F065LL28 ,  2F065LL42 ,  2F065LL46 ,  2F065LL67 ,  2F065NN00 ,  2F065QQ16 ,  2F065QQ23 ,  2F065QQ25 ,  2F065QQ41 ,  2F065TT06 ,  3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058AA14 ,  3C058AC02 ,  3C058BA01 ,  3C058BA07 ,  3C058BB02 ,  3C058BB09 ,  3C058BC02 ,  3C058CB01 ,  3C058DA17 ,  4M104DD99 ,  4M104HH20 ,  4M106AA01 ,  4M106AA11 ,  4M106AA12 ,  4M106BA04 ,  4M106CA48 ,  4M106CA70 ,  4M106DH03 ,  4M106DH12 ,  4M106DH31 ,  4M106DH37 ,  4M106DH38 ,  4M106DJ11 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ19 ,  4M106DJ21 ,  5F043BB30 ,  5F043DD25 ,  5F043DD30 ,  5F043EE08