特許
J-GLOBAL ID：200903089084868317
気相核生成を利用したポリシリコンのテクスチヤ化方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田澤 博昭 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-116697
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029219
出願日： 1992年04月10日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】半導体デバイスにおけるキャパシタのストーレジノードセルプレートとして、用いる多結晶シリコンをテクスチャ化する方法の提供。【構成】不均一的核成長を起こさせる物質の注入によるか、または成長温度もしくは成長圧を高めてシリコン源自体の均一的核成長を起こさせるか、のいずれかによる気相核生成を利用した工程から成る、多結晶シリコン層31のテクスチヤ化方法であり、不均一的または均一的気相核生成を利用すれば、成長ポリシリコン中に、安定した大きなテクスチヤ15が成長し、このものは公知技術によりドーピングできる。
請求項（抜粋）：
シリコンウエハー面(10)にテクスチヤ化多結晶シリコン層(15)を形成させる方法であって、a)ポリシリコン源ガスを用いた化学蒸着法により最初の多結晶シリコンを成長させ、この際に成長条件の組合わせの変更により該初期多結晶シリコンの気相核生成を生起させ、これによりポリノジュール(21)を形成させる工程、およびb)該ウエハー面の上方にコンフオーマル多結晶シリコン層を引き続いて成長させ、これにより該ポリノジュール(21)を被覆すると同時にテクスチヤ化多結晶シリコン層(31)を形成させる工程から成る方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C30B 25/16
, H01L 27/04
, H01L 27/108
