特許
J-GLOBAL ID：200903089086397923
超電導接合構造体およびその作製方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
越場 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-257005
公開番号（公開出願番号）：特開平5-063247
出願日： 1991年09月09日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：
【要約】【構成】 基板4上のa軸配向の酸化物超電導体結晶で構成された第1の超電導層1a上に積層されたc軸配向の酸化物超電導体結晶で構成された第2の超電導層2cを具備する超電導接合構造体。またはその逆に、基板4上のc軸配向の酸化物超電導体結晶で構成された第1の超電導層1c上に積層されたa軸配向の酸化物超電導体結晶で構成された第2の超電導層2aを具備する超電導接合構造体。【効果】 結晶方向の異なる同一の酸化物超電導体からなる2個の超電導層で構成されているので作製が容易であり、作製中に超電導層が劣化することがなく、特性の優れたものが得やすい。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された酸化物超電導薄膜による第1の超電導層と、該第1の超電導層上に積層された酸化物超電導薄膜による第2の超電導層とを具備する超電導接合構造体において、前記第1および第2の超電導層を構成する酸化物超電導薄膜が、それぞれ特定の配向性を有する酸化物超電導体結晶で構成され、それぞれの酸化物超電導体結晶の結晶方向が、対応する特定の結晶軸の方向が直交する方向であることを特徴とする超電導接合構造体。
IPC (5件)：
H01L 39/22 ZAA
, C01G 1/00
, C30B 29/22 501
, H01L 39/24 ZAA
, H01R 4/68 ZAA
