特許

J-GLOBAL ID：200903089086913875

C4製造のためのTiWの選択的エッチング

発明者： マダヴ・ダッタ ,  ラヴィンドラ・ヴァマン・シェノイ
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 合田 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-147732
公開番号（公開出願番号）：特開平8-053781
出願日： 1995年06月14日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：

【要約】【目的】 超小型電子回路チップの製造におけるチタン-タングステン合金の薄膜を除去するための化学エッチャントを提供する。【構成】 除去される合金は好ましくは10%Tiと90%Wからなり、C4はんだバンプを電着させるためのクロムと銅のシード層の下の基板上に層形成される。この応用例では、Ti-Wエッチャントはアルミニウム、クロム、銅、または鉛-スズはんだを攻撃せず、Ti-Wを速やかに溶解しなければならない。本発明では、EDTAおよび硫酸カリウムを添加した30重量%過酸化水素水を使用してこれを達成する。過酸化水素は40〜60°Cで速やかにTi-Wをエッチングする。EDTAはタングステンと錯体を形成して、Pb-SnはんだのWによるメッキを防止し、硫酸カリウムはPb-Snはんだ上に保護被覆を形成してこれを化学的攻撃から保護する。

請求項（抜粋）：

エッチングされてはならない金属の存在下でチタン-タングステン合金をエッチングするための化学エッチャントであって、30重量%過酸化水素水1〜2体積部と、水1リットルにつき15〜40グラムのEDTAを溶解した水1〜2体積部と、混合物1リットルにつき100〜200グラムの、混合物中で解離して上記保護された金属を保護被膜によって不動態化する塩との混合物を含む化学エッチャント。

IPC (2件)：

C23F 1/44 ,  C23F 1/26