半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-089110
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283308
出願日： 1994年04月04日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【目的】信頼性の高い高密度多層配線を簡便な方法で実現する。【構成】 Si半導体基板1上にSiO2 フィールド酸化膜2を形成し、この酸化膜上にAlSiCu膜3を形成し、この膜上にSiO2 絶縁膜4を形成し、この絶縁膜に接続孔5を形成し、この接続孔内およびその上にWのプラグメタル6を成膜し、接続孔内のプラグメタルのみを残して、他のプラグメタルをエッチングにより除去することにより接続柱7を形成し、接続柱7および絶縁膜4上にレジスト8を塗布して所望の配線パターンを形成する。その後絶縁膜4、ついでAlSiCu膜3を配線パターンと同一形状にエッチングする。さらにレジスト8を除去し、全体をSiO2 絶縁膜4で被覆し、最後にW接続柱7が露出するまで絶縁膜4のエッチバックを施す。

請求項（抜粋）：

半導体装置の製造方法において、半導体基板上に第n層の配線金属膜を堆積する工程と、続いて配線層間絶縁膜を堆積する工程と、第n層の配線金属と第n+1層の配線金属を接続するための接続孔を形成する工程と、接続孔に高融点金属等を埋め込む工程と、第n層の配線のパターンを絶縁層上に形成する工程と、絶縁層に形成されたパターンを用いて第n層の金属をパターンニングする工程と、このようにして形成されたパターンを絶縁膜により被覆する工程と、接続孔に埋め込まれた高融点金属等の上部が露出するまで絶縁膜を除去する工程とを有し、これらを順次行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

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