特許
J-GLOBAL ID：200903089091125826
SOI基板の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 正澄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-352882
公開番号（公開出願番号）：特開2003-151939
出願日： 2001年11月19日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：
【要約】【課題】製造工程時間の短縮化が図れて生産性の良いSOI基板の製造方法を提供する。【解決手段】外周に面取りが施され主面が鏡面研磨された第1のウェーハ(1)と第2のウェーハ(2)のうち、少なくとも一方の主面に酸化膜を形成して第1及び第2のウェーハの主面同士を密着して貼り合わせウェーハを作成し、熱処理により接合するSОI基板の製造方法において、貼り合わせウェーハを第1のウェーハの裏面より平面研削する工程と、平面研削された第1のウェーハにおける裏面の周縁部を、第2のウェーハにダメージを与えない厚みまで周縁研削する工程と、貼り合わせウェーハの第1のウェーハの平面及び周縁部を、酸化膜が露出するまでエッチングにより除去する工程と、その第1のウェーハの平面を研磨して第1のウェーハを所定の厚みまで仕上げる工程とを備えた。
請求項（抜粋）：
外周に面取りが施され主面が鏡面研磨された第1のウェーハと第2のウェーハのうち、少なくとも一方の主面に酸化膜を形成して、前記第1のウェーハと前記第2のウェーハの主面同士を密着して貼り合わせウェーハを作成し、熱処理により接合するSОI基板の製造方法において、前記貼り合わせウェーハを、前記第1のウェーハの裏面より平面研削する工程と、平面研削された前記第1のウェーハにおける裏面の周縁部を、前記第2のウェーハにダメージを与えない厚みまで周縁研削する工程と、前記貼り合わせウェーハを構成する前記第1のウェーハの平面及び周縁部を、前記酸化膜が露出するまでエッチングにより除去する工程と、前記エッチングにより除去された第1のウェーハを研磨して前記第1のウェーハを所定の厚みまで仕上げる工程と、を備えたことを特徴とするSОI基板の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 622
, H01L 21/304 621
, B24B 7/22
H01L 21/304 622 W
, H01L 21/304 621 E
, B24B 7/22 Z
