特許
J-GLOBAL ID：200903089095589894
半導体発光装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-186161
公開番号（公開出願番号）：特開2000-022206
出願日： 1998年07月01日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：
【要約】【課題】 発光効率の向上を図る。【解決手段】 半絶縁性GaAs基板101、半絶縁性GaAsバッファー層101の上にn型のAly Ga1-y As層104を設け、その上の最上層に半絶縁性のGaAs層106を設けた半導体基板100を用い、半導体基板100の表面から選択的にp型不純物を拡散させ、GaAs層106内およびAly Ga1-y As層104内にp型拡散領域107を形成するとともに、選択的にn型不純物を拡散させ、n型拡散領域120を形成する。さらに、半導体基板100の表面側に、p型拡散領域107にコンタクトするp側電極109と、n型拡散領域120にコンタクトするn側電極110を設ける。GaAs層106が半絶縁性なので、p型拡散領域107を形成しても、基板表面付近にはpn接合が形成されない。
請求項（抜粋）：
半導体基板の第1導電型の半導体層に第2導電型の不純物を選択的に拡散させることにより、前記半導体基板にpn接合を有する発光素子を形成した半導体発光装置において、第1導電型の半導体層の上の最上層に電極とオーミックコンタクトを形成するための半導体層を設けた半導体基板と、深さ方向拡散フロントが前記第1導電型の半導体層の内部に位置するように、前記最上層の半導体層内および前記第1導電型の半導体層内に選択的に形成された第2導電型拡散領域と、基板上面側に設けられ、前記半導体基板の第1導電型領域にオーミックコンタクトする第1導電側電極と、基板上面側に設けられ、前記第2導電型拡散領域にオーミックコンタクトする第2導電側電極とを備え、前記最上層の半導体層が、半絶縁性であることを特徴とする半導体発光装置。
Fターム (11件)：
5F041CA02
, 5F041CA12
, 5F041CA35
, 5F041CA36
, 5F041CA53
, 5F041CA72
, 5F041CA91
, 5F041CA98
, 5F041CA99
, 5F041CB22
, 5F041FF13
