特許

J-GLOBAL ID：200903089096544860

半導体レーザ、その変調方式およびそれを用いた光通信システム

発明者： 広木 珠代
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 加藤 一男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-334066
公開番号（公開出願番号）：特開平8-172237
出願日： 1994年12月17日
公開日（公表日）： 1996年07月02日
要約：

【要約】【目的】2つの偏波の間で変調可能な素子の歩留りを向上させ、また制御しやすくする。【構成】分布帰還型半導体レーザは複数の電気的に分離された領域を有する。1つの領域に位相シフト部21aを設け、TEおよびTM偏波に対するαパラメータ(4π/λ・(dn/dN)/(dg/dN)、λは夫々のブラッグ波長、nは夫々の有効屈折率、Nは注入キャリア密度、gは夫々の利得)を異ならせる。この構成により、TE偏波発振領域とTM偏波発振領域とを確実に確保でき、歩留りが向上するとともに、制御性も向上する。

請求項（抜粋）：

複数の電気的に分離された領域を有する分布帰還型半導体レーザにおいて、1つの電気的に分離された領域に位相シフト部が設けられ、かつ、TE偏波とTM偏波のしきい値電流近傍での夫々のαパラメータ(4π/λ・(dn/dN)/(dg/dN)、λは夫々のブラッグ波長、nは夫々の有効屈折率、Nは注入キャリア密度、gは夫々の利得)が異なることを特徴とする半導体レーザ。

IPC (3件)：

H01S 3/133 ,  H01S 3/18 ,  H04B 10/00