特許

J-GLOBAL ID：200903089097531001

電界効果型トランジスタ

発明者： 深石 宗生
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-087761
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222579
出願日： 1995年02月16日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：

【要約】【目的】 トランジスタのしきい値電圧の温度変化に基づく変動を保護絶縁膜によるストレスにより補償できるようにして、動作余裕度の確保を図る。【構成】 MESFETやHEMT等のトランジスタでは、図に示すように、温度に依存してしきい値電圧が変化する。この温度依存性をトランジスタを被覆する保護絶縁膜のストレスの温度変化により補償する。具体的には、トランジスタ本来のしきい値の温度変化が負の温度係数を持つとき、ストレスによるピエゾ効果に起因するしきい値の温度依存性が正の係数を持つようにして、本来のトランジスタしきい値の温度依存性を補償する。

請求項（抜粋）：

圧電性を有する半導体基板上に形成された電界効果型トランジスタであって、該電界効果型トランジスタ上には、該電界効果型トランジスタのしきい値電圧の温度変動を、その膜応力の温度変化により補償する保護絶縁膜が形成されていることを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 41/08

FI (2件)：

H01L 29/80 P ,  H01L 41/08 D