特許

J-GLOBAL ID：200903089101838648

面発光半導体レーザ及びその制御方法

発明者： 小路 元
出願人/特許権者： 技術研究組合新情報処理開発機構 ,  富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-115769
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321405
出願日： 1994年05月30日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：

【要約】【目的】 面発光半導体レーザの偏光面を一定方向に制御できるようにする。【構成】 1)半導体基板 1上に一対の反射膜 2, 3 と, 該一対の反射膜に挟まれた光共振器内に該半導体基板 1に平行な面内で幾何学的に対称な形状の活性層4と, 該半導体基板 1側に光出射用の開口部 5を持った基板側電極 6と,上層の該反射膜 3を介して該活性層 4上に, 幾何学的に対称な形状の1つの中央電極 7及び該中央電極 7の周囲の任意の位置に1つの周囲電極80,または中央電極 7に対して点対称の位置に一対の周囲電極81, 82,または該中央電極 7に対して対称の位置に3つ以上の周囲電極8Ai とを有する面発光半導体レーザ,2)前記面発光半導体レーザを用い,前記中央電極 7と前記基板側電極 6との間に電流を流すと同時に,前記周囲電極80と該基板側電極 6との間にも電流を流して,出射光の偏光方向を制御する。

請求項（抜粋）：

半導体基板(1) 上に一対の反射膜(2),(3)と,該一対の反射膜に挟まれた光共振器内に該半導体基板(1) に平行な面内で幾何学的に対称な形状の活性層(4)と,該半導体基板(1) 側に光出射用の開口部(5) を持った基板側電極(6) と,上層の該反射膜(3)を介して該活性層(4)上に, 幾何学的に対称な形状の1つの中央電極(7) 及び該中央電極(7) の周囲の任意の位置に1つの周囲電極(80)とを有することを特徴とする面発光半導体レーザ。