特許
J-GLOBAL ID：200903089102757536
酸化物超電導体薄膜の製造方法および製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
泉名 謙治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-307068
公開番号（公開出願番号）：特開平5-117093
出願日： 1991年10月25日
公開日（公表日）： 1993年05月14日
要約：
【要約】【目的】気相法によって、膜厚が厚く、かつ臨界電流密度が高く、電流を多く流すことのできる酸化物超電導体の薄膜を製造する。【構成】放射加熱装置、薄膜形成面の温度の測定装置、温度測定結果を加熱装置にフィードバックするための温度制御装置を具備した製造装置を用い、基体の薄膜形成面を放射によって加熱しながら気相法で酸化物超電導体の薄膜を基体上に形成する。
請求項（抜粋）：
基体の少なくとも1の面を放射によって加熱しながら、その面上に気相法により酸化物超電導体薄膜を形成する酸化物超電導体薄膜の製造方法。
IPC (4件)：
C30B 29/22 501
, H01B 13/00 565
, H01L 39/24 ZAA
, H01B 12/06 ZAA
