特許

J-GLOBAL ID：200903089103209974

半導体出力回路

発明者： 仲井 丈容
出願人/特許権者： 三菱電機エンジニアリング株式会社 ,  三菱電機株式会社
代理人 (2件)： 大岩 増雄 ,  大岩 増雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-168279
公開番号（公開出願番号）：特開平5-020881
出願日： 1991年07月09日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：

【要約】【目的】 突入電流による影響を防ぐとともに、出力段トランジスタの変化タイミングを高精度に調整でき、出力段トランジスタを複数段構成した場合にも各段の変化タイミングの調整が簡単に行えるCMOS出力回路を得る。【構成】 入力段トランジスタ5のドレイン端子に接続するNチャネルMOSトランジスタ61,62からなるカレントミラー回路と、入力段トランジスタ6のドレイン端子に接続するPチャネルMOSトランジスタ51,52からなるカレントミラー回路とを設け、各カレントミラー回路出力でもって出力段トランジスタ7,8のゲート端子を充放電する。

請求項（抜粋）：

そのゲート端子が電源に接続された入力段CMOSトランジスタと、そのドレイン端子が出力端子に接続された出力段CMOSトランジスタとを備え、入力段CMOSトランジスタのドレイン出力で出力段CMOSトランジスタのゲート容量を充放電するように構成された半導体出力回路において、上記入力段CMOSトランジスタの各MOSトランジスタ後段に設けられた第1及び第2のカレントミラー回路を備え、該第1及び第2のカレントミラー回路出力で上記出力段CMOSトランジスタのゲート容量を充放電するようにしたことを特徴とする半導体出力回路。