特許
J-GLOBAL ID：200903089105928870
PINダイオードを含む複合半導体装置、この装置の製造方法及びこの装置を用いた高周波装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-147119
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068557
出願日： 2000年05月18日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：
【要約】【課題】 PINダイオードと異なる種類の他の能動素子を半導体基板上に集積化したPINダイオードを含む複合半導体装置を提供する。【解決手段】 半絶縁性GaAs基板11上にn型半導体領域12とp型半導体領域13を設け、n型半導体領域12上にn型オーミック電極14を設け、p型半導体領域13上にp型オーミック電極15を設けている。n型半導体領域12とp型半導体領域13を相互に1μm離間させて配置しており、これによりPINダイオード16のp層-i層-n層という構造が形成される。また、半絶縁性GaAs基板11上にFET10を設けている。
請求項（抜粋）：
高抵抗半導体基板と、該高抵抗半導体基板上に形成され、n型半導体領域及びp型半導体領域を含むPINダイオードと、該高抵抗半導体基板上に形成され、該PINダイオードとは異なる種類の能動素子とを備え、該n型半導体領域及び該p型半導体領域の少なくとも一方は、イオン注入されたものであるPINダイオードを含む複合半導体装置。
IPC (12件)：
H01L 21/8222
, H01L 27/06
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 21/06
, H01L 21/8232
, H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 27/095
, H01L 29/861
, H01L 21/329
, H01P 1/15
H01L 27/06 101 D
, H01P 1/15
, H01L 27/04 A
, H01L 27/06 F
, H01L 29/72
, H01L 29/80 E
, H01L 29/91 F
, H01L 29/91 A
