特許
J-GLOBAL ID：200903089108151435
薄膜形成装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-309654
公開番号（公開出願番号）：特開平5-117843
出願日： 1991年10月28日
公開日（公表日）： 1993年05月14日
要約：
【要約】【目的】 金属の蒸着においてより結晶性の良い基板との密着性の優れた蒸着膜をうること。【構成】 金属蒸気の一部をプラスチックとしてイオンビ-ムにしこれを基板に打ち込み残りの金属蒸気は蒸気のまま基板に当てて蒸着膜を形成する。基板の表面はイオンビ-ムによって活性化するので蒸着膜と基板表面との密着性が向上する。結晶性も変化させることができる。イオンビ-ムと蒸気の比率も自由に制御できる。
請求項（抜粋）：
内部を真空に引くことのできる真空チャンバと真空チャンバの一部に設けられ金属原料を加熱して蒸気とする金属蒸気発生部と、真空チャンバの内部に設けられ金属の蒸気を加熱するためのヒ-タと、カソ-ド電位にあり加熱されて熱電子を発生しアノ-ドであるチャンバとの間にア-ク放電を生ずるエミッションフィラメントと、真空チャンバの内壁に沿って設けられ真空チャンバ内に金属蒸気を保持するための輻射シ-ルドと、金属プラズマをイオンビ-ムとして引出すためのイオン通し穴を有するプラズマ電極、引出し電極、接地電極と、イオンビ-ムおよび金属の蒸気の存在する位置に基板を保持する基板ホルダとよりなり、金属の蒸気の一部は蒸気のまま、一部はイオンビ-ムとなって基板に到達し、基板に対して金属の蒸気とイオンとを同時に当たるようにし基板の上に金属の薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成装置。
IPC (2件)：
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