特許

J-GLOBAL ID：200903089108274170

半導体基体を支持板上にろう接する方法

発明者： ヘルムート シユトラツク ,  トーマス ラスカ
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 富村 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-029687
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213719
出願日： 1997年01月29日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】 ニッケル層を完全にろう材中に溶解することなく、使用されるニッケル層の厚さを極めて薄くできるようにろう接方法を改良する。【解決手段】 シリコン半導体基体1の裏側を金属製支持板2とニッケル層5を含む金属層の積層を介してろう接する際に、ろう材にろう材中のニッケルの通常のろう接温度(250°C〜400°C)での溶解度に相応するニッケル分を添加する。

請求項（抜粋）：

ろう接前にシリコンから始まって支持板の方向にニッケル層(5)及び銀層(6)を含んでおり、銀層(6)と支持板(2)との間に半導体基体(1)と支持板(2)をろう接するためのろう材(7)を入れるようにしたシリコンからなる半導体基体(1)を金属製支持板(2)上にろう接する方法において、ろう材(7)に通常のろう接温度でのろう材中のニッケルの溶解度に相応するニッケル分を添加することを特徴とする半導体基体を支持板上にろう接する方法。

IPC (2件)：

H01L 21/52 ,  B23K 35/26 310

FI (3件)：

H01L 21/52 E ,  H01L 21/52 B ,  B23K 35/26 310 A