特許

J-GLOBAL ID：200903089110136451

Al膜の作成方法とその装置

発明者： 北畠 顕弘 ,  山田 敬治 ,  渡辺 敬一郎
出願人/特許権者： 三容真空工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-113107
公開番号（公開出願番号）：特開2000-345333
出願日： 1999年04月21日
公開日（公表日）： 2000年12月12日
要約：

【要約】【課題】 Al膜の作成方法とその装置に関し、特にヒロックのないAl膜を成膜するのに使用するAl膜の作成方法とその装置を提供することを課題とする。【解決手段】 真空チャンバ内に設けられ複数のAlターゲットと、該真空チャンバ内でAlターゲットに対して対向配置した複数の基板にAl膜を成膜するAl膜の作成方法において、Alターゲットへのスパッタ電源と基板へのバイアス電源とをパルスで行い、間欠的なスパッタでAl膜の成膜を行うことを特徴とし、具体的には、スパッタ電源とバイアス電源とをパルスで行う際、ONはスパッタ電源とバイアス電源とを同時に行い、OFFはスパッタ電源に僅かな時間差をもってバイアス電源をOFFにすることである。

請求項（抜粋）：

真空チャンバ内に設けられ複数のAlターゲットと、該真空チャンバ内でAlターゲットに対して対向配置した複数の基板にAl膜を成膜するAl膜の作成方法において、Alターゲットへのスパッタ電源と基板へのバイアス電源とをパルスで行い、間欠的なスパッタでAl膜の成膜を行うことを特徴とするAl膜の作成方法。

IPC (3件)：

C23C 14/34 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285

FI (4件)：

C23C 14/34 S ,  C23C 14/34 J ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/285 S

Fターム (18件)：

4K029BA03 ,  4K029BB02 ,  4K029CA05 ,  4K029CA13 ,  4K029DC03 ,  4K029DC16 ,  4K029DC35 ,  4K029EA00 ,  4M104BB02 ,  4M104DD37 ,  4M104HH03 ,  5F103AA08 ,  5F103BB38 ,  5F103BB42 ,  5F103BB56 ,  5F103DD28 ,  5F103NN10 ,  5F103RR06