特許
J-GLOBAL ID：200903089110867022
浮遊ゲート型不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-081535
公開番号（公開出願番号）：特開平6-268231
出願日： 1993年03月16日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：
【要約】【目的】 極めて低い電圧でも高い効率で少数キャリアを浮遊ゲートへ注入することができる様にする。【構成】 半導体基板12と拡散層とを順バイアスして供給された電子19を、半導体基板12と制御ゲート18及びソース/ドレインとを逆バイアスして発生させた空乏層で加速する。この空乏層によって半導体基板12のエネルギバンドが湾曲し、この曲がりφS が半導体基板12とゲート酸化膜15との間のエネルギ障壁EB 以上になると、空乏層で加速された電子19は浮遊ゲート16へ注入される。
請求項（抜粋）：
メモリセルを構成しているトランジスタのチャネル領域へ少数キャリアを供給するための注入領域が半導体基体に設けられており、制御ゲートとドレインまたはソースとに前記半導体基体に対して逆バイアスの電圧を印加して発生させた空乏層で前記少数キャリアを加速し、この少数キャリアを前記チャネル領域から浮遊ゲートへ注入することを特徴とする浮遊ゲート型不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
