読出し専用メモリ及び読出し専用メモリ装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浅村皓 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-512213
公開番号（公開出願番号）：特表2001-516964
出願日： 1998年08月28日
公開日（公表日）： 2001年10月02日
要約：

【要約】読出し専用メモリが受動伝導体マトリックスに亙って電気的にアドレス可能にされており、この場合マトリックス中の二つの伝導体(2、4)の共通部分間の体積がメモリセル(5)を定める。データーはメモリセルのインピーダンス値として記憶される。メモリセル(5)は、大きなインピーダンスを与える絶縁材料(6)、又は一つ以上の無機又は有機半導体(9)、好ましくは異方性伝導性を有する半導体を有する。半導体材料(9)は、マトリックス中の金属伝導体(2、4)に対する界面の所にダイオード接合を形成する。メモリセル中に絶縁材料(6)及び半導体材料(9)を夫々適切に配置することにより、それらに決定インピーダンス値を与えることができ、その値は電気的に読出すことができ、2進又は多値コードでの論理値に相当する。読出し専用メモリ装置を完成するために、駆動及び制御回路(13)も有する半導体基板(1)上に一つ以上の読出し専用メモリ(ROM)を与えることができる。その装置は、平面状化、又は複数の水平層(15)として幾つかの読出し専用メモリ(ROM)を重ね、それらをアドレス母線により基板(1)と接続することによりボリューム型としても実現することができる。

請求項（抜粋）：

読出し専用メモリの製造過程の一部分を占める書込み操作で、メモリに永久的に書込み又は記憶されるデーターを定める決定されたプロトコルに従って、一つ又は二つ以上の論理状態を夫々永久的に割り当てられた複数のメモリセル(5)、及びアドレスするための電気伝導体(2、4)の受動マトリックスを有する電気的にアドレス可能な不揮発性読出し専用メモリで、前記受動電気伝導体マトリックスが、それぞれ相互に離れて配置された平行な平面内にある第一及び第二の電極構造体を有し、各平面内に平行な電極(2、4)が存在し、前記電極が実質的に直交x、yマトリックスを形成しており、前記第一電極構造体の電極が、マトリックスの桁、即ちx電極を構成し、第二電極構造体の電極(4)が、マトリックスの行、即ち、y電極を構成し、x電極(2)とy電極(4)との共通部分の間の体積の少なくとも一部分が読出し専用メモリのメモリセル(5)を定め、前記メモリセル(5)中のx電極(2)とy電極(4)との相互に重なった部分が、夫々メモリセル(5)の接触領域(11)を定め、選択された電気伝導性電極材料及び電気絶縁材料(6)に関して整流性を有する少なくとも一つの半導体材料が前記電極構造体の間に与えられており、メモリセル中の電極(2、4)と電気的に接触する半導体材料(9)が半導体材料と電極材料との間の界面にダイオード接合を形成している不揮発性読出し専用メモリにおいて、前記読出し専用メモリ中のメモリセル(5)の第一論理状態がメモリセル中の全接触領域(11)を覆う半導体材料(9)の活性部分によって形成され、前記ダイオード接合が前記メモリセルの全接触領域を占め、前記読出し専用メモリ中の選択されたメモリセル(5)の第二論理状態が、絶縁材料(6)によって覆われたメモリセル中の少なくとも一つの電極構造体によって形成され、前記読出し専用メモリ中のメモリセル(5)中の一つ又は幾つかの付加的論理状態が、接触領域(11)の一部分だけを覆う半導体材料(9)の活性部分によって形成されており、且つ(又は)ダイオード接合が接触領域(11)の一部分だけを占め、メモリセルに記憶されたデーターが2進又は多値コードの論理状態により表され、各場合の論理状態がメモリセル(5)のインピーダンス値によって与えられ、前記インピーダンス値が次の因子;半導体材料のインピーダンス特性、絶縁材料のインピーダンス特性、半導体材料の活性部分の広さ、ダイオード接合を形成する接触領域の部分の広さ、及びダイオード接合のインピーダンス特性;の一つにより実質的に与えられていることを特徴とする読出し専用メモリ。

IPC (2件)：

H01L 27/10 431 , G11C 16/04

FI (2件)：

H01L 27/10 431 , G11C 17/00 305

Fターム (7件)：

5B003AA01 , 5B003AC01 , 5B003AC02 , 5F083CR04 , 5F083FZ07 , 5F083JA33 , 5F083ZA21

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