特許
J-GLOBAL ID：200903089113389091
波長可変型面発光レーザ装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-170620
公開番号（公開出願番号）：特開平11-017285
出願日： 1997年06月26日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：
【要約】【課題】 広範囲に亘って発振波長を安定に可変可能な波長可変型面発光レーザ装置とその製造方法を提供する。【解決手段】 化合物半導体基板上にミラー層および活性層を順に成長させて面発光レーザ本体を形成した後、前記活性層の上面に第1のシリコン基板を誘電体膜を介して接合する。その後、化合物半導体基板を除去し、第1のシリコン基板を選択エッチングして開口部を形成する。一方、第2のシリコン基板上に誘電体多層膜からなるミラーを形成し、このミラーを開口部に位置付けて面発光レーザ本体に対向させ、この状態で第1のシリコン基板と第2のシリコン基板とを接合する。そしてシリコン基板に電圧を印加することで面発光レーザ本体とミラーとの間隙を変化させる構造とする。
請求項（抜粋）：
一対の電極、および活性層の片側に設けたミラー層を有する面発光レーザ本体と、この面発光レーザ本体の前記ミラー層とは反対側の面に誘電体膜を介して接合されたシリコン基板と、このシリコン基板に穿たれた凹部に設けられて前記面発光レーザ本体に対して所定の間隙を隔てて対向配置されたミラーと、前記誘電体膜およびシリコン基板にそれぞれ設けられた前記一対の電極とは独立な波長制御用電極とを具備したことを特徴とする波長可変型面発光レーザ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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