半導体レーザ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井桁貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-056379
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263799
出願日： 1994年03月25日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】可視光半導体レーザで消費電力が少なくし、また、光ディスク装置の光源として用いた場合にはノイズレベルを小さくする。【構成】GaInP系からなる活性層(5) を用いる半導体レーザにおいて、内部損失の大きい場合には、引っ張り歪みを受けた活性層を用い、内部損失の小さい場合には、圧縮歪を受けた活性層を用いる。

請求項（抜粋）：

引っ張り歪みを受けたGaInPまたはAlGaInPまたはAlGaInAsPからなる活性層(5) を持ち、しきい値利得が23cm-1以上であることを特徴とする半導体レーザ。

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