圧電デバイス用基板の製造方法と圧電デバイス用基板、及びこれを用いた弾性表面波デバイス

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀正武 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-377335
公開番号（公開出願番号）：特開2001-192298
出願日： 1999年12月28日
公開日（公表日）： 2001年07月17日
要約：

【要約】【課題】圧電デバイス用基板の製造方法と圧電デバイス用基板、及びこれを用いた弾性表面波デバイスにおいて、結晶中の欠陥等が少ないとともに、バラツキの少ない伝搬速度が得られること。【解決手段】 La3Ga5SiO14単結晶を育成して圧電デバイス用基板に加工する圧電デバイス用基板の製造方法であって、La2O3を、48.06から48.80重量%とし、Ga2O3を、45.25から46.60重量%とし、SiO2を、5.21から6.19重量%とした組成範囲内で秤量してルツボ1内で融解させ、該ルツボ内からLa3Ga5SiO14の単結晶Cを引き上げ育成する。

請求項（抜粋）：

La3Ga5SiO14単結晶を育成して圧電デバイス用基板に加工する圧電デバイス用基板の製造方法であって、La2O3を、48.06から48.80重量%とし、Ga2O3を、45.25から46.60重量%とし、SiO2を、5.21から6.19重量%とした組成範囲内で秤量してルツボ内で融解させ、該ルツボ内からLa3Ga5SiO14の単結晶を引き上げ育成することを特徴とする圧電デバイス用基板の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/34 , H03H 9/25

FI (2件)：

C30B 29/34 Z , H03H 9/25 C

Fターム (9件)：

4G077AA02 , 4G077BD15 , 4G077CF10 , 4G077EC08 , 4G077HA11 , 5J097AA28 , 5J097AA36 , 5J097FF01 , 5J097HA01

引用特許：

審査官引用 (1件)

表面弾性波デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-274589 出願人：三菱マテリアル株式会社

引用文献：

審査官引用 (3件)

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