特許
J-GLOBAL ID：200903089117258048
膜形成用組成物、膜の形成方法および低密度化膜
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
白井 重隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-177696
公開番号（公開出願番号）：特開2001-049174
出願日： 1999年06月24日
公開日（公表日）： 2001年02月20日
要約：
【要約】【課題】 貯蔵安定性に優れ、得られる膜が誘電率特性に優れ、半導体素子などにおける層間絶縁膜として有用な、膜形成用組成物を提供する。【解決手段】 (A)R2 R3 R4 Si(OR1 )、R2 R3 Si(OR1 )2、R2 Si(OR1 )3 、Si(OR1 )4 およびR2 s (R1 O)3-s SiRSi(OR1)3-t R2 t (R1 〜R4 は同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基、Rは2価の有機基を示し、sおよびtは0〜1の整数である)の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物、その加水分解物および/またはその縮合物、(B)ポリエーテル、ポリエステル、ポリカーボネートおよびポリアンハイドライドの群から選ばれた少なくとも1種の有機ポリマー、ならびに(C)アルコール系溶媒および/またはケトン系溶媒、を含有する膜形成用組成物。
請求項（抜粋）：
(A)(A-1)下記一般式(1)で表される化合物、(A-2)下記一般式(2)で表される化合物、(A-3)下記一般式(3)で表される化合物、(A-4)下記一般式(4)で表される化合物および(A-5)下記一般式(5)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物、その加水分解物および/またはその縮合物、R2 R3 R4 Si(OR1 ) ・・・・・(1)R2 R3 Si(OR1 )2 ・・・・・(2)R2 Si(OR1 )3 ・・・・・(3)Si(OR1 )4 ・・・・・(4)(R1 〜R4 は同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基、Rは2価の有機基を示し、sおよびtは0〜1の整数である。)(B)ポリエーテル、ポリエステル、ポリカーボネートおよびポリアンハイドライドの群から選ばれた少なくとも1種の有機ポリマー、ならびに(C)アルコール系溶媒および/またはケトン系溶媒を含有することを特徴とする膜形成用組成物。
IPC (11件)：
C09D183/04
, C08L 33/02
, C08L 67/00
, C08L 69/00
, C08L 71/00
, C08L 73/02
, C08L 83/04
, C09D133/02
, C09D167/00
, C09D169/00
, C09D171/00
C09D183/04
, C08L 33/02
, C08L 67/00
, C08L 69/00
, C08L 71/00
, C08L 73/02
, C08L 83/04
, C09D133/02
, C09D167/00
, C09D169/00
, C09D171/00
4J002BH00X
, 4J002CF00X
, 4J002CG00X
, 4J002CH02X
, 4J002CP03W
, 4J002EC016
, 4J002EE026
, 4J002GH00
, 4J002GQ05
, 4J038CG082
, 4J038DD002
, 4J038DE002
, 4J038DF002
, 4J038DL021
, 4J038DL031
, 4J038JC32
, 4J038KA06
, 4J038NA21
, 4J038NA26
, 4J038PA19
, 4J038PB09
