特許

J-GLOBAL ID：200903089117872102

液晶表示装置の製造方法

発明者： 川井 悟
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 森岡 正樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-311573
公開番号（公開出願番号）：特開2001-133805
出願日： 1999年11月01日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：

【要約】【課題】本発明は、フォトリソグラフィ工程で使用するマスクの数を低減させることができる液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】第1のマスクを用いてゲートバスライン2及び蓄積容量配線50を形成し、側壁絶縁膜9を含む全面に第1の金属膜80、82を形成し、第2のマスクを用いて、ゲートバスライン2上のTFT形成領域及び画素間素子分離領域62の動作半導体層66が露出するまでエッチングする。ドレイン電極7上の第1の金属膜80、82上に第2の金属膜84を電気メッキすると共に、画素間素子分離領域62を除きドレイン電極7及びソース電極6間の動作半導体層4上及び画素電極14に第2の金属膜84より薄い第3の金属膜86を形成し、第3の金属膜86をマスクとして画素間素子分離領域62上の動作半導体層66をエッチングにより除去した後、第3の金属膜86を除去するように構成する。

請求項（抜粋）：

透明絶縁基板上に少なくともゲート形成金属層、ゲート絶縁膜、及び動作半導体形成層をこの順に積層し、第1のマスクを用いて前記ゲート形成金属層まで一括エッチングしてゲートバスライン及び蓄積容量配線を形成し、前記ゲートバスラインの側壁絶縁膜を形成し、全面に透明電極材料層を成膜してからその上に第1の金属膜を形成し、第2のマスクを用いて前記第1の金属膜及び前記透明電極材料層をエッチングして、ドレインバスライン及び前記ゲートバスラインを挟み込むドレイン電極と、前記ドレイン電極と対向してソース電極を兼ねる画素電極を形成すると共に、前記ゲートバスライン上の前記ドレイン電極と前記ソース電極間の領域及び前記蓄積容量配線上の画素間素子分離領域の前記動作半導体形成層が露出するまでエッチングし、前記ドレイン電極に通電して前記ドレイン電極上の前記第1の金属膜上に第2の金属膜を電気メッキすると共に、前記画素間素子分離領域を除き前記ドレイン電極及びソース電極間の前記動作半導体形成層上及び前記画素電極に前記第2の金属膜より薄い第3の金属膜を形成し、前記第3の金属膜をマスクとして前記画素間素子分離領域上の前記動作半導体形成層をエッチングにより除去した後、前記第3の金属膜を除去する工程を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。

IPC (4件)：

G02F 1/1365 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

G09F 9/30 338 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 612 D

Fターム (65件)：

2H092JA26 ,  2H092JA29 ,  2H092JA38 ,  2H092JA42 ,  2H092JB13 ,  2H092JB23 ,  2H092JB32 ,  2H092JB33 ,  2H092JB38 ,  2H092JB57 ,  2H092JB63 ,  2H092JB69 ,  2H092KA05 ,  2H092KA07 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA11 ,  2H092MA14 ,  2H092MA15 ,  2H092MA16 ,  2H092MA18 ,  2H092MA19 ,  2H092MA20 ,  2H092MA43 ,  2H092NA15 ,  2H092NA16 ,  2H092NA25 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  2H092PA05 ,  5C094AA42 ,  5C094AA43 ,  5C094AA44 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094EA05 ,  5C094EA10 ,  5C094EB02 ,  5C094FA01 ,  5C094FA02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB13 ,  5C094FB15 ,  5C094GB10 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE44 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG45 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK35 ,  5F110QQ04

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 塗料用ポリエステル樹脂、塗料用樹脂組成物および該樹脂組成物を用いた塗膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-087638   出願人：荒川化学工業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-246420   出願人：沖電気工業株式会社

審査官引用 (2件)

• 塗料用ポリエステル樹脂、塗料用樹脂組成物および該樹脂組成物を用いた塗膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-087638   出願人：荒川化学工業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-246420   出願人：沖電気工業株式会社