特許
J-GLOBAL ID:200903089118598497

高出力発光ダイオードパッケージ及び製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 三好 秀和 ,  伊藤 正和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-182485
公開番号(公開出願番号):特開2005-197633
出願日: 2004年06月21日
公開日(公表日): 2005年07月21日
要約:
【課題】本発明は高出力発光ダイオードパッケージに関する。【解決手段】本発明は、発光ダイオード実装領域に形成され導電性物質で充填された放熱口46とその周囲に形成された少なくとも一個の導電性バイアホール43bを有する下部基板41と、上記下部基板41の下面に形成され上記放熱口46または上記少なくとも一個の導電性バイアホール43bに各々連結された第1及び第2背面電極43c、44cと、少なくとも上記放熱口46を覆うよう上記下部基板41の上面に形成された絶縁膜47と、上記絶縁膜47上に形成され上記放熱口46または上記少なくとも一個の導電性バイアホール43bを通して上記第1及び第2背面電極43c、44cに各々接続された第1及び第2電極パターン43a、44aと、上記第1及び第2電極パターン43a、44aにフリップチップボンディングにより接続された発光ダイオード45とを含むことを特徴とする。【選択図】図2
請求項(抜粋):
発光ダイオード実装領域に形成され導電性物質で充填された放熱口と上記放熱口の周囲に形成された少なくとも一個の導電性バイアホールを有する下部基板と、 上記下部基板の下面に形成され上記放熱口または上記少なくとも一個の導電性バイアホールに各々連結された第1及び第2背面電極と、 少なくとも上記放熱口を覆うよう上記下部基板の上面に形成された絶縁膜と、 上記絶縁膜上に形成され上記放熱口または上記少なくとも一個の導電性バイアホールを通して上記第1及び第2背面電極に各々接続された第1及び第2電極パターンと、 上記第1及び第2電極パターンに接続された発光ダイオードと、 を有することを特徴とする発光ダイオードパッケージ。
IPC (1件):
H01L33/00
FI (1件):
H01L33/00 N
Fターム (15件):
5F041AA33 ,  5F041AA42 ,  5F041CA13 ,  5F041DA04 ,  5F041DA09 ,  5F041DA19 ,  5F041DA34 ,  5F041DA35 ,  5F041DA36 ,  5F041DA39 ,  5F041DA43 ,  5F041DB09 ,  5F041EE17 ,  5F041EE25 ,  5F041FF11
引用特許:
審査官引用 (6件)
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