特許

J-GLOBAL ID：200903089122871726

半導体装置の製造方法

発明者： 岩谷 昭彦 ,  東野 朋子 ,  塩月 敏弘 ,  須賀 秀幸 ,  花輪 和子 ,  沼崎 雅人
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-014535
公開番号（公開出願番号）：特開2008-182060
出願日： 2007年01月25日
公開日（公表日）： 2008年08月07日
要約：

【課題】樹脂封止型パッケージを有する半導体装置において、半田リフロー時のパッケージクラックを抑制することのできる技術を提供する。【解決手段】ダイパッド3に形成された矩形の穴10の角部を所定の曲率半径、例えば0.3mm以上の曲率半径を有する曲線によって変化させる。これにより、モールド工程において発生したボイドを逃げやすくして、角部を直角とした場合よりも樹脂内に残るボイドを減少させる。また、ダイパッド3の角部領域でのダイボンディング材のはみ出しを無くして、半導体チップとダイパッド3との間に隙間を形成することにより、発生したボイドを上記隙間に入り込ませる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

(a)中央部に矩形の穴が形成された枠形状のダイパッドを備えるリードフレームを用意する工程と、 (b)前記ダイパッド上に半導体チップを接着する工程と、 (c)前記半導体チップの外部端子と前記リードフレームのリードとをボンディングワイヤを用いて接続する工程と、 (d)金型を用いて前記半導体チップ、前記ダイパッドおよび前記ボンディングワイヤを樹脂により封止する工程とを含む半導体装置の製造方法であって、 前記ダイパッドに形成された前記矩形の穴の角部は直角ではなく、0.3mm以上の曲率半径を有して曲線によって変化していることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 23/50

FI (1件)：

H01L23/50 U

Fターム (5件)：

5F067AA07 ,  5F067AB03 ,  5F067BA02 ,  5F067BD05 ,  5F067BE02

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 面実装型IC
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-052846   出願人：株式会社日立製作所, 日立東部セミコンダクタ株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-053499   出願人：株式会社東芝