特許
J-GLOBAL ID：200903089124058232
微細パターン形成用マスク形成方法及びその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-197099
公開番号（公開出願番号）：特開平6-110197
出願日： 1993年08月09日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】半導体装置や液晶表示装置に目的に合わせた任意のパターンを半導体装置、液晶表示装置としての信頼性と生産性を両立させるパターン形成方法及び装置を提供する。【構成】低温に冷却した処理基板上に材料ガスを供給して膜状に吸着させ、第1のエネルギビームを照射して重合反応を起こし、第2のエネルギビームを照射して露光により分解、架橋反応等を起こすことによりマスクを形成し、または、低温に冷却した処理基板上に吸着凍結した材料ガスに電子ビームを照射して所定のパターンに露光することによりマスクを形成し、これらのマスクを用いて処理基板をエッチングすることにより、成膜、マスク形成、エッチングを、同一減圧雰囲気中で連続処理できるようにした。【効果】本発明により真空中での連続処理が出来、生産性を高めることが出来る。
請求項（抜粋）：
基板の上に膜を形成する手段、膜の上にマスクを形成する手段、マスクに合わせて基板上に形成した膜をエッチングする手段、を有し、これらが減圧した条件下で連続して行われる装置において、膜形成室とマスク形成室の間に、処理ガスの回り込みを防止する手段を設けたことを特徴とするパターン形成装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 341 P
