特許

J-GLOBAL ID：200903089124175166

半導体装置の製造方法

発明者： 鈴木 康之 ,  小川 裕美
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-218755
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055268
出願日： 1991年08月29日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【構成】CCl2 F2 などのガスを用いてGaAs層4を選択ドライエッチングしたとき、その下のAlGaAs層3表面に生成したAl弗化物8を弗酸を含む液を用いて選択除去する。【効果】選択ドライエッチングにより生成した弗化物を選択的に除去できる。しきい値電圧の均一性が優れ、良好なショットキ特性をもつ高性能FETを実現することができた。

請求項（抜粋）：

AlまたはInを含む半導体層の上にGaAs層が積層された半導体装置の製造方法において、塩素および弗素を含む混合ガスを用いて前記GaAs層を選択エッチングする工程と、該選択エッチングにより生成された弗化物を弗酸を含む水溶液を用いて除去する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/306 ,  H01L 29/201

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平1-152674
  
• 特開昭59-061073