半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-275564
公開番号（公開出願番号）：特開平5-114608
出願日： 1991年10月23日
公開日（公表日）： 1993年05月07日
要約：

【要約】【目的】回転斜めイオン注入法によりゲートオーバーラップLDD構造のN型MOSトランジスタに於てソース側のオーバーラップを最小限に抑えることにより微細化を可能とする。【構成】MOS型半導体装置のソースドレイン領域を形成する工程に於て、低濃度のP型不純物を含む拡散層を形成した半導体基板上にゲート酸化膜を介してN型不純物を含むゲート電極を形成する工程と、ドレイン領域以外の部分、及びソース領域に於てゲート電極端から一定の距離だけ離れた部分にフォトレジストを形成する工程と、N型不純物を回転斜めイオン注入法によりイオン注入を行う工程と、ゲート電極の脇に酸化シリコン膜で側壁を形成する工程と、ゲート電極及びゲート電極の脇に酸化シリコンで形成された側壁の直下を除くソースドレイン領域に第2のイオン注入を行う工程とを少なくとも有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

MOS型半導体装置のソースドレイン領域を形成する工程に於て、1)低濃度のP型不純物を含む拡散層を形成した半導体基板上にゲート酸化膜を介してN型不純物を含むゲート電極を形成する工程と、2)ドレイン領域以外の部分、及びソース領域に於てゲート電極端から一定の距離だけ離れた部分にフォトレジストを形成する工程と、3)N型不純物をウェハーに対して垂直方向より30度から60度程度傾いた方向からイオン注入を行ってからウェハーを一定の角度だけ回転させ、これを複数回繰り返すことにより第1のイオン注入を行い、ドレイン側のゲート電極端の直下及びソース領域の一部を除くソースドレイン領域に低濃度のN型不純物を含む拡散層を形成する工程と、4)ゲート電極の脇に酸化シリコン膜で側壁を形成する工程と、5)ゲート電極及びゲート電極の脇に酸化シリコンで形成された側壁の直下を除くソースドレイン領域に第2のイオン注入を行うことにより高濃度のN型不純物を有するソースドレイン領域を形成する工程と、を少なくとも有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 , H01L 29/784 , H01L 21/265

FI (3件)：

H01L 29/78 301 L , H01L 21/265 V , H01L 21/265 F

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