特許

J-GLOBAL ID：200903089127653603

半導体結合超伝導素子

発明者： 豊田 悦子 ,  新田 淳作 ,  高柳 英明
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-210003
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045878
出願日： 1993年08月03日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：

【要約】【目的】 量子ポイントコンタクト素子の、ゲート電圧の連続的な変化に対して量子化されて不連続に変化する伝導チャネルのコンダクタンスの量子化単位を大きくすることを目的とする。そして、そのコンダクタンスの量子化単位を制御できるようにすることを目的とする。【構成】 ドレイン電極4を超伝導体から構成し、かつ、ドレイン電極4とスプリット型金属電極10との距離を、2次元電子ガス6の平均自由工程より小さくする。そして、磁場印加用の電極11を絶縁膜12を介してドレイン電極4上に形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成され、キャリアとなる2次元電子ガスを形成するためのヘテロ接合面を有する半導体層積層体と、前記半導体層積層体上に絶縁層を介して形成され、所定の位置に微小な間隙が形成されているゲート電極と、前記半導体層積層体のヘテロ接合面に形成されている2次元電子ガスと接続するように形成された第1の電極と、前記2次元電子ガスと接続し、かつ前記ゲート電極と前記2次元電子ガスの平均自由行程より短い間隔で形成され、超伝導体からなる第2の電極とを有することを特徴とする半導体結合超伝導素子。

IPC (5件)：

H01L 39/22 ZAA ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/80

FI (2件)：

H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 A