特許

J-GLOBAL ID：200903089129716394

半導体装置およびその製造方法

発明者： 増田 員拓
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-235931
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050688
出願日： 2000年08月03日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：

【要約】【課題】 配線容量が低減された半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置100は、第1の配線層14の上に設けられた、第1の配線層14に達する開口部60を有する層間絶縁層20を含む。開口部60は、スルーホール62と、スルーホール62と連続する配線溝64とを有する。スルーホール62においてコンタクト層92が設けられ、配線溝64において第2の配線層94が設けられている。層間絶縁層20は、第1の絶縁層30と、第1の絶縁層30の上に設けられた第2の絶縁層50と、第1の絶縁層30と第2の絶縁層50との間に設けられた中間層40とを有する。第1の絶縁層30は、有機系材料からなる多孔質膜である。

請求項（抜粋）：

導電層の上に設けられた、該導電層に達する開口部を有する層間絶縁層を含み、前記開口部は、スルーホールと、該スルーホールと連続する配線溝とを有し、前記スルーホールにおいてコンタクト層が設けられ、前記配線溝において配線層が設けられ、前記層間絶縁層は、第1の絶縁層と、該第1の絶縁層の上に設けられた第2の絶縁層と、該第1の絶縁層と該第2の絶縁層との間に設けられた中間層とを有し、前記第1の絶縁層は、有機系材料からなる多孔質膜である、半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316

FI (4件)：

H01L 21/312 C ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/90 M

Fターム (36件)：

5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ09 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK00 ,  5F033KK01 ,  5F033MM02 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR21 ,  5F033RR29 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033XX24 ,  5F058AD04 ,  5F058AD05 ,  5F058AF04 ,  5F058AH02 ,  5F058BA20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD07 ,  5F058BF46 ,  5F058BJ02