特許

J-GLOBAL ID：200903089140676337

透明導電積層体及びその製造方法

発明者： 原 寛 ,  坪井 誠治
出願人/特許権者： 帝人株式会社
代理人 (1件)： 前田 純博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-176596
公開番号（公開出願番号）：特開2001-001441
出願日： 1999年06月23日
公開日（公表日）： 2001年01月09日
要約：

【要約】【課題】 導電性を維持しつつ、光線透過率をさらに向上させることに主眼をおいて、高透明性を有する透明導電性積層体を提供することにある。【解決手段】 屈折率n<SB>0</SB>の高分子基板上に、In-Zn-Oを主成分とし屈折率n<SB>1</SB>である膜厚d<SB>1</SB>の導電層1を形成し、ついで、当該層上に、In-Sn-Oを主成分とし屈折率n<SB>2</SB>(ただしn<SB>2</SB><n<SB>1</SB>)である膜厚d<SB>2</SB>の導電層2を順次形成した透明導電積層体であって、導電層1と導電層2の合計膜厚(d<SB>1</SB>+d<SB>2</SB>)は650〜1600Åであり、導電層1と導電層2の膜厚比(d<SB>1</SB>/d<SB>2</SB>)は0.2〜3.5であり、550nmにおける屈折率がn<SB>0</SB><n<SB>2</SB><n<SB>1</SB>であり、かつ全光線透過率が85%以上である透明導電積層体。

請求項（抜粋）：

屈折率n<SB>0</SB>の高分子基板上に、 屈折率n<SB>1</SB>である膜厚d<SB>1</SB>の導電層1を形成し、ついで、当該層上に、 屈折率n<SB>2</SB>(ただしn<SB>2</SB><n<SB>1</SB>)である膜厚d<SB>2</SB>の導電層2を順次形成した透明導電積層体であって、導電層1と導電層2の合計膜厚(d<SB>1</SB>+d<SB>2</SB>)は650〜1600Åであり、導電層1と導電層2の膜厚比(d<SB>1</SB>/d<SB>2</SB>)は0.2〜3.5であり、550nmにおける屈折率がn<SB>0</SB><n<SB>2</SB><n<SB>1</SB>であり、かつ全光線透過率が85%以上である透明導電積層体。

IPC (7件)：

B32B 7/02 103 ,  B32B 7/02 104 ,  B32B 9/00 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/20 ,  H01B 5/14 ,  H01B 13/00 503

FI (7件)：

B32B 7/02 103 ,  B32B 7/02 104 ,  B32B 9/00 A ,  C23C 14/08 D ,  C23C 14/20 A ,  H01B 5/14 A ,  H01B 13/00 503 B

Fターム (47件)：

4F100AA01D ,  4F100AA01E ,  4F100AA17B ,  4F100AA17C ,  4F100AK01A ,  4F100AT00D ,  4F100AT00E ,  4F100BA03 ,  4F100BA04 ,  4F100BA05 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10C ,  4F100EH66 ,  4F100JA20A ,  4F100JB01B ,  4F100JG01C ,  4F100JG04 ,  4F100JM02B ,  4F100JM02C ,  4F100JN01C ,  4F100JN18A ,  4F100JN18B ,  4F100JN18C ,  4F100YY00A ,  4F100YY00B ,  4F100YY00C ,  4K029AA11 ,  4K029AA25 ,  4K029BA50 ,  4K029BB02 ,  4K029BC09 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC34 ,  4K029DC39 ,  4K029EA01 ,  4K029EA08 ,  4K029GA01 ,  5G307FA02 ,  5G307FB01 ,  5G307FC09 ,  5G307FC10 ,  5G323BA02 ,  5G323BB05 ,  5G323BC03