特許
J-GLOBAL ID：200903089140979992
ショットキバリアダイオード及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-102152
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294805
出願日： 1999年04月09日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：
【要約】【課題】 金属層と低抵抗エピタキシャル層とでショットキ接合を形成することにより、順方向電圧特性を低下させることなく、逆方向電流特性を向上させたショットキバリアダイオード及びその製造方法を提供する。【解決手段】 N+型のシリコン基板1上に、N-型のエピタキシャル層2と、その上の金属層8とを備え、エピタキシャル層2の表面側にP+型層7が形成され、エピタキシャル層2と金属層8との間にエピタキシャル層2より比抵抗の小さい低抵抗エピタキシャル層6が形成され、P+型層7は複数に分離して形成され、これらの上面が金属層8下面と接しており、さらにP+型層7の形成領域を囲み、P+型で環状のガードリング層3がエピタキシャル層2の表面側に形成され、ガードリング層3の一部に金属層8が接している。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、エピタキシャル層とその上の金属層とを備えたショットキバリアダイオードであって、前記エピタキシャル層の表面側に前記エピタキシャル層と逆の導電型の半導体層が形成され、前記エピタキシャル層と前記金属層との間に前記エピタキシャル層より比抵抗の小さい低抵抗エピタキシャル層が形成されていることを特徴とするショットキバリアダイオード。
FI (2件)：
H01L 29/48 F
, H01L 29/48 P
4M104AA01
, 4M104BB13
, 4M104BB14
, 4M104BB16
, 4M104BB18
, 4M104CC03
, 4M104FF35
, 4M104GG03
, 4M104HH17
