特許

J-GLOBAL ID：200903089144797570

発光素子及びその製造方法

発明者： 飯島 正行 ,  新井 敏弘
出願人/特許権者： 日本真空技術株式会社
代理人 (1件)： 飯阪 泰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-215120
公開番号（公開出願番号）：特開平7-050432
出願日： 1993年08月06日
公開日（公表日）： 1995年02月21日
要約：

【要約】[目的] 発光効率が高く、かつ保存安定性の良好なSi系またはGe系の発光素子、及びその製造方法を提供する。[構成] Sn微粒子13を分散させたSiO2 膜12を有するSi基板11からなる発光素子であり、Si基板11上にSn13とSiO2 12をスパッタリングして製造される。

請求項（抜粋）：

IVb族のSn、Pb及びVb族のAs、Sb、Biの中の少なくとも1種の微粒子を分散させた膜を表面に形成させたSi基板またはGe基板であることを特徴とする発光素子。