特許

J-GLOBAL ID：200903089151168988

イオン注入方法およびイオン注入装置

発明者： 青木 則茂
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-251100
公開番号（公開出願番号）：特開平10-097828
出願日： 1996年09月24日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：

【要約】【課題】 イオン注入時に酸化膜の破壊、あるいは半導体装置特性の劣化が発生する。【解決手段】 電荷密度測定センサー12、電荷密度測定装置13により得られた電荷密度の測定値は、信号処理装置14に入力され、信号処理装置14は所定の設定値をもとに測定された値の比較により、一定領域に封じ込められる電子の総電荷量を所定の値に制御するようにプラズマの発生機構の制御を行う。その結果、半導体基板に作り込んだ半導体装置のゲート酸化膜の破壊を防止できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板に正電荷をもったイオンを注入する工程において、プラズマを発生させ、プラズマから発生した電子を基板近傍の一定領域に電磁力により封じ込める工程と、所定の量のイオンを半導体基板に注入する工程とを備え、前記一定領域に封じ込められる総電荷量を所定の値に設定することを特徴とするイオン注入方法。

IPC (5件)：

H01J 27/18 ,  C23C 14/48 ,  H01J 37/08 ,  H01J 37/317 ,  H01L 21/265

FI (6件)：

H01J 27/18 ,  C23C 14/48 B ,  H01J 37/08 ,  H01J 37/317 C ,  H01L 21/265 D ,  H01L 21/265 N