特許

J-GLOBAL ID：200903089151849411

液晶表示パネル及び該液晶表示パネルを用いた投写表示装置

発明者： 榑松 克巳 ,  光武 英明
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-005790
公開番号（公開出願番号）：特開平5-188398
出願日： 1992年01月16日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：

【要約】【目的】 配向膜の機能を低下させることなくアルカリイオンのTFTへの侵入を防止できるコンパクトな液晶表示パネルを提供する。【構成】 第1、第2の基板と、該第1、第2の基板間に挟持された液晶層と、該第1の基板上に形成された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタを駆動する為の配線と、前記液晶層の液晶分子を配向せしめる配向膜とからなる液晶表示パネルに於て、前記第1基板はアルカリイオンを含むガラス基板であり、前記第1基板からのアルカリイオンが前記薄膜トランジスタに侵入するのを防ぐ為のイオン遮断層を、前記第1基板上の前記薄膜トランジスタの形成位置では他の位置に比べてイオン遮断効果が高くなるように前記第1基板上に設けた。

請求項（抜粋）：

第1、第2の基板と、該第1、第2の基板間に挟持された液晶層と、該第1の基板上に形成された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタを駆動する為の配線と、前記液晶層の液晶分子を配向せしめる配向膜とからなる液晶表示パネルに於て、前記第1基板はアルカリイオンを含むガラス基板であり、前記第1基板からのアルカリイオンが前記薄膜トランジスタに侵入するのを防ぐためのイオン遮断層を、前記第1基板上の前記薄膜トランジスタの形成位置では他の位置に比べてイオン遮断効果が高くなるように前記第1基板上に設けたことを特徴とする液晶表示パネル。

IPC (2件)：

G02F 1/136 500 ,  G09F 9/00 360

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭60-097385
  
• 特開平2-083536
  
• 特開平2-001816
  
• 特開平3-170911
  
• 特開平4-175726