特許

J-GLOBAL ID：200903089153257570

リチウム二次電池用電極の形成装置および形成方法

発明者： 堂本 洋一 ,  樽井 久樹 ,  八木 弘雅
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-109969
公開番号（公開出願番号）：特開2003-007291
出願日： 2002年04月12日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：

【要約】【課題】少なくとも2つの元素から構成される活物質層を容易に形成することができるとともに、その活物質層の組成を制御することが可能なリチウム二次電池用電極の形成装置を提供する。【解決手段】このリチウム二次電池用電極の形成装置は、集電体1の表面上に、活物質層を構成するSiをスパッタするためのSiスパッタ源3と、集電体1の表面上に、活物質層を構成するCoをスパッタするためのCoスパッタ源4とを備えている。そして、Siスパッタ源3のプラズマ領域とCoスパッタ源4のプラズマ領域とが重なるように配置されている。

請求項（抜粋）：

集電体の表面上に活物質層を形成するためのリチウム二次電池用電極の形成装置であって、前記集電体の表面上に、前記活物質層を構成する第1材料をスパッタするための第1スパッタ源と、前記集電体の表面上に、前記活物質層を構成する第2材料をスパッタするための第2スパッタ源とを備え、前記第1スパッタ源のプラズマ領域と前記第2スパッタ源のプラズマ領域とが重なるように配置されている、リチウム二次電池用電極の形成装置。

IPC (2件)：

H01M 4/04 ,  H01M 10/40

FI (3件)：

H01M 4/04 Z ,  H01M 4/04 A ,  H01M 10/40 Z

Fターム (14件)：

5H029AJ03 ,  5H029AJ05 ,  5H029AK11 ,  5H029AL11 ,  5H029AM05 ,  5H029AM07 ,  5H029CJ24 ,  5H050AA02 ,  5H050AA07 ,  5H050AA08 ,  5H050BA17 ,  5H050CA17 ,  5H050CB11 ,  5H050GA24