特許

J-GLOBAL ID：200903089154574278

磁気記憶装置

発明者： 上口 裕三 ,  福澤 英明 ,  斉藤 明子 ,  佐橋 政司
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-248159
公開番号（公開出願番号）：特開平11-086528
出願日： 1997年09月12日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】【課題】本発明は、膜面に対して垂直方向にセンス電流が流れる磁気記憶装置であって、センス感度が高く、同時に、不揮発性で、高SN比、高速アクセス、高集積化等の効果を得られる磁気記憶装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の第1は、第1の強磁性層12、非磁性層13、及び第2の強磁性層14が積層形成された記憶部と、第1の強磁性層12と非磁性層16を介して積層形成された強磁性層であって、長手方向を備える第3の強磁性層11とが備えられ、記憶部と第3の強磁性層11の磁気抵抗効果に応じた抵抗変化を記憶情報として読み取る磁気記憶装置を提供する。

請求項（抜粋）：

第1の強磁性層、及び第2の強磁性層が第1の非磁性層を介して積層形成された記憶部と、第2の非磁性層を介して前記第1の強磁性層と積層形成された、所定方向に長手方向を備える第3の強磁性層とを備えることを特徴とする磁気記憶装置。