特許

J-GLOBAL ID：200903089159169460

半導体装置

発明者： 安達 和広
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-207849
公開番号（公開出願番号）：特開2007-027440
出願日： 2005年07月15日
公開日（公表日）： 2007年02月01日
要約：

【課題】半導体チップの温度分布を極力均一にする半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体チップの中心電力密度を小さく、チップ周辺に向かうに従って電力密度を大きくし、チップ内の温度分布を小さくしたことを特徴とする半導体装置。半導体チップ内に素子のセルを形成しない領域を作成し、その面積密度を調整することにより、半導体チップ内のセル密度を小さく、チップ周辺に向かうに従ってセル密度を大きくし、チップ内の温度分布を小さくしたことを特徴とする半導体装置。半導体チップ内に一様に素子を形成するが、素子の一部については動作しないように配線することにより、半導体チップ内の動作する素子セル密度を小さく、チップ周辺に向かうに従って動作しないセル密度を大きくして、チップ内の温度分布を小さくしたことを特徴とする半導体装置。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

半導体チップ内の電力密度分布を調整することにより、チップ内の温度分布を小さくしたことを特徴とする半導体装置。

IPC (10件)：

H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 27/095 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/861 ,  H01L 21/336

FI (9件)：

H01L27/04 A ,  H01L29/78 652H ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/80 E ,  H01L29/80 H ,  H01L29/91 F ,  H01L29/91 H ,  H01L29/91 L ,  H01L29/78 658E

Fターム (26件)：

5F038AV01 ,  5F038AV04 ,  5F038AV06 ,  5F038BH01 ,  5F038BH16 ,  5F038CA05 ,  5F038CA07 ,  5F038CA08 ,  5F038CA18 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ08 ,  5F038EZ20 ,  5F102FA04 ,  5F102GA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01