特許

J-GLOBAL ID：200903089163352172

セラミック配線基板の製造方法

発明者： 中洲 浩一
出願人/特許権者： 株式会社住友金属エレクトロデバイス
代理人 (1件)： 井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-093840
公開番号（公開出願番号）：特開2000-281461
出願日： 1999年03月31日
公開日（公表日）： 2000年10月10日
要約：

【要約】【課題】 無電解銅めっき処理の前処理としてセラミック基板に触媒付与処理を施したとしても、その後の加熱処理においてセラミック基板を灰色に変色させず、DBC基板の商品価値を高めることができるセラミック配線基板の製造方法を提供すること。【解決手段】 セラミック基板20に全面銅めっき処理を施した後、セラミック基板20に銅板21、25を接合炉中で接合させる工程を有するセラミック配線基板の製造方法において、全面銅めっき処理を施す際の触媒としてAg含有触媒を使用する。

請求項（抜粋）：

セラミック基板に全面銅めっき処理を施した後、前記セラミック基板に銅板を接合炉中で接合させる工程を有するセラミック配線基板の製造方法において、前記全面銅めっき処理を施す際の触媒としてAg含有触媒を使用することを特徴とするセラミック配線基板の製造方法。

IPC (5件)：

C04B 37/02 ,  C04B 41/88 ,  H05K 3/00 ,  H05K 3/18 ,  H05K 3/38

FI (5件)：

C04B 37/02 B ,  C04B 41/88 H ,  H05K 3/00 R ,  H05K 3/18 E ,  H05K 3/38 A

Fターム (17件)：

4G026BA01 ,  4G026BA03 ,  4G026BA05 ,  4G026BA16 ,  4G026BB22 ,  4G026BC01 ,  4G026BD02 ,  4G026BF34 ,  4G026BF57 ,  4G026BG02 ,  4G026BH07 ,  5E343AA24 ,  5E343BB24 ,  5E343BB67 ,  5E343CC44 ,  5E343CC78 ,  5E343DD33