特許

J-GLOBAL ID：200903089165346749

軟磁性薄膜およびそれを用いた薄膜磁気デバイス

発明者： 篠浦 治 ,  中川 善朗
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-063351
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236349
出願日： 1995年02月27日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【目的】 高温熱処理後も低い保磁力、特に1 Oe 以下という優れた軟磁気特性を実現することができる軟磁性薄膜、およびこの軟磁性薄膜を備える薄膜磁気デバイスを提供する。【構成】 Ni-Fe合金で、成膜後の保磁力が1 Oe 以下の軟磁性材料で形成された軟磁性薄膜において、Niの含有率を30〜80wt%に設定すると、成膜後に350°Cを超える温度での熱処理を受けた後も保磁力が1 Oe 以下を維持する。

請求項（抜粋）：

Ni-Fe合金で、成膜後の保磁力が1 Oe 以下の軟磁性材料で形成された軟磁性薄膜において、Niの含有率を30〜80wt%に設定し、成膜後に350°Cを超える温度での熱処理を受けた後の保磁力が1 Oe 以下を維持する軟磁性薄膜。

IPC (3件)：

H01F 10/14 ,  G11B 5/127 ,  G11B 5/23

FI (3件)：

H01F 10/14 ,  G11B 5/127 K ,  G11B 5/23 K