特許

J-GLOBAL ID：200903089168542530

エピタキシャルウェハの製作方法

発明者： 田中 秀一 ,  池田 正清
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-020518
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190467
出願日： 1992年01月09日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：

【要約】【目的】 略760torrで、高濃度の炭素Cを添加した3-5族化合物半導体層を有機金属気相成長法によりエピタキシャル成長させるエピタキシャルウェハの製作方法を提供する。【構成】 3-5族化合物半導体基板上に、炭素Cを不純物として高濃度(1019cm-3以上)に添加したGaAs(あるいはAlGaAs)層を、有機金属気相成長法によりエピタキシャル成長させるエピタキシャルウェハの製作方法において、成長圧力を略760torrとするために、TMGaとTMAs(あるいはTMGa、TMAlおよびTMAs)を原料ガスとし、原料ガスの供給比と基板温度を適切に設定する。

請求項（抜粋）：

3-5族化合物半導体基板上に、炭素Cを不純物として1019cm-3以上に添加したGaAsを、有機金属気相成長法によりエピタキシャル成長させるエピタキシャルウェハの製作方法において、トリメチルガリウム(Ga(CH3 )3 、以下TMGaと称す)とトリメチルヒ素(As(CH3 )3 、以下TMAsと称す)を原料ガスとし、原料ガスの供給比TMAs/TMGaを3以下とし、基板温度を450°C以上、550°C以下とし、成長圧力を大気圧力と同等に設定することを特徴とするエピタキシャルウェハの製作方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C03B 25/02