特許

J-GLOBAL ID：200903089178558150

シリコン単結晶の冷却方法および冷却装置

発明者： 小島 清 ,  土生 隆一 ,  宮里 敏生
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社 ,  ニッテツ電子株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-041566
公開番号（公開出願番号）：特開平6-256087
出願日： 1993年03月02日
公開日（公表日）： 1994年09月13日
要約：

【要約】【目的】 引上げ時における単結晶の冷却速度を規制し、熱履歴を改善してOSF発生の少ない高品質のシリコン単結晶を製造する。【構成】 坩堝中の融液からシリコン単結晶を引上げてシリコン単結晶を製造する際に、融液から引上げたシリコン単結晶の350°Cから常温までの温度域の冷却速度を5°C/分以上200°C/分以下とする。

請求項（抜粋）：

坩堝中の融液からシリコン単結晶を引上げてシリコン単結晶を製造する際に、融液から引上げたシリコン単結晶の350°Cから常温までの温度域の冷却速度を5°C/分以上200°C/分以下とすることを特徴とするシリコン単結晶の冷却方法。

IPC (3件)：

C30B 15/00 ,  C30B 29/06 ,  H01L 21/208

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-208879
  
• 特開昭57-205397
  
• 特開昭58-120591
  
• シリコン単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-140167   出願人：信越半導体株式会社