特許

J-GLOBAL ID：200903089183339385

樹脂封止半導体装置、その製造方法及びその金型

発明者： 村上 紀子
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-302109
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144827
出願日： 1996年11月13日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：

【要約】【課題】 リフロー耐性が高く、かつ熱抵抗を低くすることができる樹脂封止半導体装置、その製造方法及びその金型を提供する。【解決手段】 リードフレーム2の上側(半導体チップ1側)を低応力樹脂3、リードフレーム2の下側を高熱伝導樹脂4でそれぞれ封止するようにしたので、樹脂封止半導体装置の加熱時に半導体チップ1と低応力樹脂3の界面に発生する応力を低減し、動作時に半導体チップ1上に発生する熱を、高熱伝導樹脂4を介して効率良く放熱することができる。

請求項（抜粋）：

樹脂封止半導体装置において、半導体チップがダイボンドされたリードフレームを挟んで、前記半導体チップを搭載した側に封止される低応力樹脂と、前記半導体チップを搭載した側の反対側に封止される高熱伝導樹脂とを具備することを特徴とする樹脂封止半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  B29C 45/02 ,  B29C 45/14 ,  B29C 45/16 ,  B29C 45/26 ,  H01L 21/56 ,  B29L 31:34

FI (6件)：

H01L 23/30 B ,  B29C 45/02 ,  B29C 45/14 ,  B29C 45/16 ,  B29C 45/26 ,  H01L 21/56 R