特許
J-GLOBAL ID：200903089183808679
HIGH-K誘電材料をエッチングする方法とシステム。
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (11件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 峰 隆司
, 福原 淑弘
, 白根 俊郎
, 村松 貞男
, 野河 信久
, 橋本 良郎
, 風間 鉄也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-532962
公開番号（公開出願番号）：特表2007-502547
出願日： 2004年05月11日
公開日（公表日）： 2007年02月08日
要約：
【課題】 HIGH-K誘電材料をエッチングする方法とシステム。【解決手段】 プラズマを使用した、第1のプロセスと、第2のプロセスとの間での基板を加熱する方法は、記載されている。この加熱方法は、熱伝達ガスの裏面供給を取りやめ、クランプ力を取り除くこととによって基板ホルダ上の基板を熱的にアイソレートすることを具備する。さらにまた、希ガスのような不活性ガスは、プラズマ処理システムに導入され、プラズマは、点火される。基板は、第1の温度(すなわち、一般的に100°C未満)から第2の温度(すなわち、一般的に400°Cオーダー)まで基板の温度を上昇させるのに十分な期間、不活性プラズマにさらされる。【選択図】
請求項（抜粋）：
プラズマ処理システム内の基板ホルダに支持された基板を加熱する方法であって、
前記プラズマ処理システムに、He、Ar、Xe、およびKrの少なくとも1つを含む不活性ガスを導入することと、
プロセスガスからプラズマを点火することと、
前記基板の裏面から、前記基板ホルダに接続された裏面ガス分配システムによってなされた裏面ガス圧を、取り除くことと、
前記取り除いた後に、200°Cを越える前記基板の温度に上昇させるのに十分な期間、前記基板を前記プラズマにさらすこととを具備する方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (15件)：
5F004AA13
, 5F004BA09
, 5F004BA20
, 5F004BB18
, 5F004BB21
, 5F004BB22
, 5F004BB26
, 5F004CA06
, 5F004DA00
, 5F004DA04
, 5F004DA17
, 5F004DA22
, 5F004DA23
, 5F004DA29
, 5F004DB13
