特許

J-GLOBAL ID：200903089186264343

格子歪み評価用Siウエファ、その製造方法及び格子歪みの評価方法

発明者： 米村 光治 ,  亀井 一人
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-307376
公開番号（公開出願番号）：特開平10-132714
出願日： 1996年10月31日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】【課題】 薄膜化による歪みの解放、膜厚の影響など、薄膜試料における結晶学的効果を考慮することができるSiウエファ試料を作製することが困難であった。【解決手段】 ウエファ主面に対する垂直方向の厚みが10nm以上10μm以下の範囲で連続的に変化するくさび形部位を有するSiウエファ試料をFIBを用いて作製する。

請求項（抜粋）：

格子歪み評価用のSiウエファであって、ウエファ主面に対する垂直方向の厚みが10nm以上10μm以下の範囲で連続的に変化するくさび形部位を有していることを特徴とする格子歪み評価用Siウエファ。

IPC (3件)：

G01N 1/00 102 ,  G01N 1/28 ,  H01L 21/66

FI (3件)：

G01N 1/00 102 B ,  H01L 21/66 N ,  G01N 1/28 F